Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту

M. A. Ruvinskii, B. M. Ruvinskii, O. B. Kostyuk

Анотація


Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.

Ключові слова: квантовий напівпровідниковий дріт, гауссові флуктуації товщини, електропровідність, термоерс, теплопровідність.


Посилання


P.K. Basu, P. Ray, Phys. Rev. B, 44(4), 1844 (1991).

H. Smith, H. Hojgaard, Transport Phenomena (University Press, Oxford, 1989).

H. Bruns, K. Flensberg, H. Smith, , Phys. Rev. B, 48(15), 11144 (1993).

M.A. Ruvіns'kij, B.M. Ruvіns'kij, FTP, 39(2), 247(2005).

B.M. Ruvіns'kij, M.A. Ruvіns'kij, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla, 15(4), 689 (2014).

A.I. Ansel'm, Vvedenie v teoriju poluprovodnikov (Nauka, Moskva, 1978).

Dzh. Zajman, Principy teorii tvjordogo tela (Mir, Moskva, 1974).

B.K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1999).

J. Imri, Vvedenie v mezoskopicheskuju fiziku (Fizmatlit, Moskva, 2002).

B.M. Askerov, Jelektronnye javlenija perenosa v poluprovodnikah (Nauka, Moskva, 1985).

M.S. Svirskij, Jelektronnaja teorija veshhestva (Prosveshhenie, Moskva, 1980).


Повний текст: PDF
7 :: 17

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.