Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe

V. M. Katerynchuk, B. V. Kushnir, Z. R. Kudrynskyi, Z. D. Kovalyuk, I. G. Tkachuk, O. S. Litvin

Анотація


Досліджені фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe – n-InSe, що сформовані методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетерограниці p-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. Побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe – n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм.

Ключові слова: InSe, GaTe, шаруваті кристали, гетеропереходи, АСМ-зображення, спектральні характеристики.


Посилання


V. N. Katerinchuk, M. Z. Kovaljuk, A. D. Ogorodnik, Neorg. mater. 32 (8), 937 (1996).

V. L. Bakumenko, Z. D. Kovaljuk, L. N. Kurbatov, V. G. Tagaev, V. F. Chishko, FTP 14 (6), 1115 (1980).

Z. D. Kovaljuk, Fizicheskie osnovy poluprovodnikovogo materialovedenija (Kiev, Naukova dumka, 1986).

V. N. Katerinchuk, Z. R. Kudrinskij, Z. D. Kovaljuk, FTP 49 (5), 612 (2015).

A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Van der Waals heterostructures (Manchester, Nature, 2013) v. 499, p. 419.

K. S. Novoselov, A. H. Castro Neto, Phys. Scr. 146, 014006 (2012).

A. G. Milnes, D. L. Feucht. Heterojunction and metal-semiconductor junction (New York, Academic Press, 1972).

N. Balakrishnan, Z. R. Kudrynskyi, M. W. Fay, G. W. Mudd, S. A. Svatek, O. Makarovsky, Z. D. Kovalyuk, L. Eaves, P. H. Beton, A. Patanu, Advanced Optical Materials 2(11), 1064 (2014).

V. M. Katerinchuk, Z. D. Kovaljuk, M. V. Tovarnic'kij, Ukr. fіz. zh. 45(1), 87 (2000).

K. Davletov, F. Ragimov, FTP 16(9), 1631 (1982).


Повний текст: PDF
7 :: 17

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.