Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3

I. V. Grytsyshche, V. Yu. Loya, M. I. Kozak, I. I. Chichura, A. M. Solomon, V. M. Krasilinets

Анотація


Проведено електрофізичні дослідження модифікованих індієм тонких плівок на основі склоподібних As<sub>2</sub>S<sub>3</sub> та As<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>. Визначено енергію активації та виявлено фотоелектричну пам’ять у досліджуваних зразках.

Ключові слова: халькогенідні стекла, енергія активації, модифікація, тонкі плівки, фотопровідність


Посилання


K. K. Shvarc, Fizika opticheskoj zapisi v dijelektrikah i poluprovodnikah (Zinatne, Riga, 1986).

Jelektronnye javlenija v hal'kogenidnyh stekloobraznyh poluprovodnikah, pod redakciej

K. D. Cjendina (Nauka, SPb., 1996).

V. Tmovcova, I. Furar, D. Lezal, J. Non-Cryst. Solids, 353, 1311(2007).

T. F. Mazec, N. N. Smirnova, Je. A. Smorgonskaja, V. K. Tihomirov, PZhTF 18(13), 46 (1992).

V. M. Zhiharev, V. Ju. Loja, A. M. Solomon, Ja. V. Gricishhe, Naukovij vіsnik UzhNU. Serіja Fіzika (37), 89 (2015).

G. Z. Vinogradova, Stekloobrazovanie i fazovye ravnovesija v hal'kogenidnyh sistemah (Nauka, Moskva, 1984).

A. Kolobov, S. R. Elliott, Advances in Physics, 44:5, 684 (1991).

K. Dhimakawa, A. Kolobov, S. R. Elliott, Advances in Physics, 44:6, 588 (1995).


Повний текст: PDF
7 :: 17

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.