Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем

S. P. Novosyadlyj, S. I. Boyko

Анотація


В даній статті проведено аналіз швидкодії біполярних транзисторів на основі гетероструктур AlGaAs/GaAs. Використання гетеропереходу в якості емітерного переходу дозволяє радикально підвищити його швидкодію. Чисельне моделювання швидкодії ГБТ в режимі кільцевого генератора (КГ) як тестової структури, показало, що час затримки БТ з емітером 1х2 мкм може бути знижений до рівня 8 пс при максимальному струму 105 А/см2. Час затримки 24 пс при потужності 9,1 мВт і 17 пс при потужності 40 мВт отримано для ГБТ як з одним, і з двома (емітерним і колекторним) гетеропереходами. Ключові слова: біполярний транзистор, гетероперехід, арсенід галію.

Ключові слова: біполярний транзистор, гетероперехід, арсенід галію.


Посилання


Ju.K. Pozhela, Fizika bystrodejstvujushhih tranzistorov (Mokslas, Vil'njus, 1989).

V.A. Moskaljuk, V.I. Timofeev, A.V. Fedjaj, Sverhbystrodejstvujushhie pribory jelektroniki (NTUU KPI, Kiev, 2012).

N.G. Einspruch, W.R. Frensley, VLSI Electronics: Microstructure Science. Heterostructures and Quantum Devices (Academic Press, San Diego, 1994).

O. Esame, Y. Gurbuz, I. Tekin, A. Bozkurt, Microelectronics Journal 35(11), 901 (2004).

B. Lia, S. Prasada, L.W. Yangb, S.C. Wangc, Solid-State Electronics 43(4), 839 (1999).


Повний текст: PDF
7 :: 17

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.