Структура та магнітні властивості голкоподібних кристалів Si0,97Ge0,03

Yu. V. Pavlovskyy, G. Luka, I. P. Ostrovskyy, N. T. Pavlovska

Анотація


Методом хімічних транспортних реакцій у закритій галоїдній системі Si-Au-Pt-B-Br вирощено ниткоподібні кристали Si1-xGex складу х = 0,01–0,08 поперечними розмірами 0,1-100 мкм. Досліджено структурні та магнітні властивості одержаних кристалів. Методом скануючої електронної мікроскопії показано, що на поверхні голкоподібних кристалів, поперечними розмірами 50-80 мкм, присутня пориста оболонка товщиною 50-60 нм. З аналізу енергетичний спектрів рентгенівського випромінювання встановлено, що поверхнева оболонка містить значну концентрацією атомів кисню та вуглецю. У свою чергу, на внутрішніх шарах зразків піків кисню та вуглецю не виявлено. Встановлено, що стравлювання поверхневого шару кристалів приводить до покращення їх структурних та магнітних властивостей.

Посилання


S. V. Sazhnev, M. A. Fomychev, V. N. Tymofeev. Nano- ans microsyst. tech. 1, 39 (2008).

F. Zhang, Y. Ding, Y. Zhang, X. Zhang, Z. Wang. ACS Nano. 6(10), 9229 (2012).

X. T. Zhou, J. Q. Hu, C. P. Li, D. D. Ma, C. S. Lee, S. T. Lee. Chemical Physics Letters. 369, 220 (2003).

I. Maryamova, A. Druzhinin. E. Lavitska, I. Gortynska, Y. Yatzuk. Sensors and Actuators. A85(1-3), 153 (2000).

A. A. Druzhynin, I. P. Ostrovskiy, S. M. Matvienko, Yu. P. Kohut. Technology and constr. in electron. devices. (1), 26 (2005).

R. Baitsar, V. Voronin, E. Krasnogenov, N. Bogdanova. Sensors and Actuators. A30, 175 (1992).

V. Voronin, I. Maryamova, Y. Zaganyach, E. Karetnikova, A. Kutrakov. Sensors and Actuators. A30, 27 (1992).

A. O. Druzhynin, I. Y. Maryamova, E. N. Lavytska, O. P. Kutrakov. Sensors and systems. (6), 2 (2001).

A. O. Druzhynin, I. Y. Maryamova, O. P. Kutrakov, N. S. Lyakh-Kahuy. Physics and Chemistry of Solid State. 12(4), 1078 (2011).

Ya. Yang, Yu. Zhou, J.M. Wu. ACS Nano. 6(9), 8456 (2012).

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh-Kaguy. Journal of Thermoelectricity. (4), 82 (2009).

V. Krivitsky, L. Hsiung, A. Lichtenstein, B. Brudnik, R. Kantaev, R. Elnathan, A. Pevzner, A. Khatchtourints, F. Patolsky. Nano Lett. 12(9), 4748 (2012).

F. Patolsky, G. Zheng C. M. Lieber. Nanomedicine. 1(1), 51 (2006).

Y. Zhou, Y. Liu, J. Cheng Y. Lo. Nano Lett. 12(11), 5929 (2012).

V. A. Voronin, I. L. Maryamova, A. S. Ostrovskaya. Cryst. Prop. and Prepar. 36-39, 340 (1991).

P. G. Lytovchenko, N. T. Pavlovska, Yu. V. Pavlovsliy, I. P. Ostrovskiy. Actual problems of physics, mathematics and informatics. Annual sci. journ. (6), 2 (2014).

V. M. Tsmots, P. G. Litovchenko, N. T. Pavlovska, Yu. V. Pavlovskyy, I. P. Ostrovskyy. Semiconductors. 44(5), 623 (2010).

E. I. Givargizov, Growth of wires and planes crystals from vapor (Nauka, Moskow, 1977).

A.I. Klimovskaya, I.V. Prokopenko, I.P. Ostrovskii. J. Phys. Condens. Matter. 13, 5923, (2001).

Pat. 77284 Ukraine, G01R 33/16. Device for measuring the magnetic susceptibility of materials / V. M. Tsmotsj, I. S. Pankov, L. I. Pankov, Yu. V. Pavlovsky, V. V. Petrenko, T. S. Kavetsky, D. V. Labovka, M. M. Luchkevich, R. V. Okhrimovich, V. P. Salan, M. V. Zuper. – 20041008650; date 25.10.2004; publ. 15.11.2006, Bull. No11.

G. P. Gaydar. Electronic treatment of materials. 48(1), 93 (2012).

V. Tsmotsj, P. Lytovchenko, Yu. Pavlovskiy, I. Ostrovskiy, O. Lytovchenko, M. Luchkevych, I. Panjkiv, V. Salanj. Ukr. Phys. Journ. 53(1), 36 (2008).

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, P. Lytovchenko, N. Pavlovska, Yu. Pavlovskyy, Yu. Ugrin. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 393(1), 310 (2015).


Повний текст: PDF (Ukr.) PDF (En.) (English)
7 :: 19

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.