Формування фази розпорошення кристалів PbTe плазмою іонів Ar+ і переосадження розпорошених елементів в умовах вторинної нейтральної масспектрометрії

D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, A. Csik

Анотація


Досліджено формування фази розпорошення та переосадження розпорошених Pb і Te приопроміненні іонами Ar+ в умовах вторинної нейтральної масспектрометрії бічних поверхонь кристалівPbTe, вирощених з розплаву методом Бріджмена. Наведено експериментальні докази взаємного впливуодин на одного цих процесів підчас профілювання вглиб кристалів PbTe. Розпорошення кристалічноїповерхні PbTe формує сильно пересичену фазу розпорошених Pb і Te. Переосадження розпорошенихатомів Pb і Тe на поверхню кристалу РbТе, що розпорошується, веде до коливань у часі швидкостірозпорошення кристалу, а також змін середніх інтенсивностей розпорошення Pb і Te. Обговоренаможлива роль докритичних зародків переосаджуваної фази і її поверхневих структур посткритичнихрозмірів у формуванні особливостей розпорошення кристалів PbTe. Зроблено висновок, що формування іповторне розпорошення докритичних зародків переосаджуваної фази веде до коливань в часі виходіврозпорошення Pb і Тe. Ріст і повторне розпорошення переосаджених поверхневих структурпосткритичних розмірів спричиняє зміни середніх значень виходів розпорошення Pb і Te з часом.

Ключові слова: розпорошення,переосадження,зародкоутворення,напівпровідникові сполуки свинцю.


Посилання


A. R. González-Elipe, F. Yubero and J. M. Sanz: Low Energy Ion Assisted Film Growth (Imperial Collage Press, London, 2003).

O. Auciello, J. Engemann, Multicomponent and Multilayered Thin Films for Advanced Microtechnologies: Techniques, Fundamentals and Devices(Springer Science & Business Media,2012).

Nanofabrication by Ion-Beam Sputtering: Fundamentals and Applications, Ed. by Tapobrata Som, Dinakar Kanjilal (Pan Stanford Publishing, 2013).

H. Oechsner, Secondary Neutral Mass Spectrometry (SNMS) and Its Application to Depth Profile and Interface Analysis. In: Thin Film and Depth Profile Analysis, Ed. by Oechsner H, Springer-Verlag, 1984, p. 63-86.

H. Oechsner, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 33, 918 (1988).

I. V. Veryovkin, W. F. Calaway, J. F. Moore, M. J. Pellin, J. W. Lewellen, Y. Li, S. V. Milton, B. V. King, M. Petravic, Applied Surface Science 231-232, 962 (2004).

T. Albers, M. Neumann, D. Lipinsky, A. Benninghoven, Applies Surface Science 70-71, 49 (1993).

T. A. Dang, T. A. Frist, Surface and Coatings Technology 106, 60 (1998).

G. L. Katona, Z. Berényi, L. Péter, K. Vad,Vacuum 82/2, 270 (2007).

T. Schneider, M. Sommer, J. Goschnick, Applied Surface Science 252/1, 257 (2005).

Vasile-Dan Hodoroaba, Wolfgang E.S Unger, Holger Jenett, Volker Hoffmann, Birgit Hagenhoff, Sven Kayser, Klaus Wetzig, Applied Surface Science 179/1-4, 30 (2001).

D. M. Zayachuk, O. S. Ilyina, A. V. Pashuk, V. I. Mikityuk, V. V. Shlemkevych, A. Csik, and D. Kaczorowski, J Cryst Growth 376, 28 (2013).

D. M. Zayachuk, E. I. Slynko, V. E. Slynko, and A. Csik, Materials Letters 173, 167 (2016).

D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, and A. Csik, Physics and Chemistry of Solid State 17, 336 (2016).

P. Sigmund, Theory of Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets, Phys. Rev. 184, 383 (1969).

P. Sigmund, Elements of Sputtering Theory. In: Nanofabrication by Ion-Beam Sputtering. T. Som, D. Kanjilal (Pan Stanford Publishing, 2013).

L. C. Feldman, J. W. Mayer, Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis (North-Holland, 1986).

Handbook of Thin Film Technology, Ed. by L. I. Maissel and R. Glang, V. 2 (McCraw Hill Hook Company, 1970).


Повний текст: PDF
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.