Електрична нестабільність кристалів CdTe:Si

Ye. S. Nykoniuk, P. M. Fochuk, S. V. Solodin, M. O. Kovalets, Z. I. Zakharuk, O. E. Panchuk

Анотація


У роботі наведені результати досліджень температурних залежностей електропровідності тапостійної Холла у кристалах CdTe, легованих кремнієм (концентрація домішки у розплаві була 1018 -1019 см-3). Проведена класифікація досліджуваних зразків і умов, при яких можуть реалізуватисяконкретні домішкові стани. Знайдено відмінність між трьома групами кристалів CdTe:Si: (1) - низькоомнікристалу p-типу з мілкими акцепторами, у яких домішка Si локалізована головним чином у великихвкрапленнях; (2) - напівізолюючі кристали з глибокими акцепторами і преципітатами Si субмікронногорозміру, які є джерелом міжвузлових мілких донорів Sii; (3) - низькоомні кристали, у яких n-типпровідності забезпечується мілкими донорами Sii (і/або) SiCd. Таким чином, кремній відповідальний за n-тип провідності легованих кристалів, якщо він впроваджений як донор Sii, і забезпечує напівізолюючийстан шляхом формування глибоких акцепторних комплексів (SiCd-VCd2-)- з енергетичним рівнем(Еv + 0,65 еВ). Субмікронні преципітати кремнію, що мають тенденцію до розчинення при відноснонизьких температурах, можуть діяти як електрично активні центри.

Ключові слова: телурид кадмію, силіцій, легування, електричні властивості, домішка, преципітати


Посилання


L. Chibani, M. Наge-Аli, J. Stoguert et. al., Mater. Sci. Eng. B 16, 202 (1993).

A. Martinaitis, O. Panchuk, Sakalas A. et. al., Lithuanian Phys. Coll. (rus.) 2, 178 (1989).

F. A. Selim, V. Swaminathan, F. A. Kroger, Phys. Stat. Sol.(a). 29, 473 (1975).

O. Parfenyuk, M. Ilashchuk, K. Ulyanitsky et. al., Semiconductors 40(2), 143 (2006).

I. N. Odin, M. V. Chukichev, V. A. Ivanov, M. E. Rubina, Inorgan. Mater. 37, 445 (2001).

R. Jasinskaite, A. Martinaitis, A. Sakalas, O. Panchuk, Solid State Commun 58, 681 (1986).

R. Zelinska-Purgal, W. Nazarewicz, Phys. Stat. Sol. (b), 180, 297 (1993).

P. Fochuk, R. Grill, I. Nakonechnyi, O. Kopach, O. Panchuk, Ye. Verzhak, E. Belas, A.E. Bolotnikov, G. Yang and R. James, B. IEEE. Trans. Nucl. Sci. 58(5), 2346 (2011).

M. Sheinkman, A. Schick, Semiconductors 10(2), 209 (1976).

O. Panchuk, A. Savitskiy, P. Fochuk et. al., J. Cryst. Growth 197, 607 (1999).

Z. Zakharuk, S. Dremlyuzhenko, Kovalchuk M. et. al., Phys. Chem. Solid State 8(4), 703(2007).


Повний текст: PDF
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.