Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском

G. P. Gaidar

Анотація


У роботі досліджено зміни питомого опору кристалів n-Si з температурою і направленим тиском Х, орієнтованим як у напрямку <100>, так і в напрямку [111]. За експериментальними даними поздовжнього і поперечного тензоопору одержано значення параметра анізотропії рухливості для умов J || X || [100] та J I- X || [100]. Виявлено наявність тензоопору в n-Si за умов X || J || [111], тобто, при відсутності
міжмінімумного перерозподілу носіїв заряду. Наведено фізичне обґрунтування одержаних результатів.
Ключові слова: кремній, питомий опір, направлена пружна деформація, тензоопір, параметр анізотропії рухливості.

Посилання


O. V. Tretiak, V. V. Il’chenko, Physical Principles of Semiconductor Electronics (VPTs “Kyivskyi universytet”, Kyiv, 2011), in Ukrainian.

N. N. Gerasimenko and Yu. N. Parkhomenko, Silicon – Material for Nanoelectronics (Tekhnosfera, Moscow, 2007), in Russian.

Ya. V. Lepikh, Yu. O. Gordiienko, A. O. Druzhynin, Creating Microelectronic Sensors of New Generation for the Intellectual Systems: Monograph (Astroprynt, Odesa, 2010), in Ukrainian.

A. E. Gorin, G. V. Gromova, V. M. Ermakov, P. P. Kogoutyuk, V. V. Kolomoets, P. F. Nasarchuk, L. I. Panasjuk, S. A. Fedosov, Ukr. J. Phys. 56(9), 917 (2011).

G. P. Gaidar, S. V. Berdnichenko, V. G. Vorobyov, V. I. Kochkin, V. F. Lastovetskiy, P. G. Litovchenko, Voprosy atomnoy nauki i tekhniki (Problems of Atomic Science and Technology) 2(102), Ser. Physics of Radiation Effect and Radiation Materials Science (107), 17 (2016).

V. Kolomoets, V. Ermakov, L. Panasyuk, S. Fedosov, B. Orasgulyev, P. Nazarchuk, Physica B: Condensed Matter 417, 46 (2013).

G. P. Gaidar, The Kinetics of Electronic Processes in Si and Ge in the Fields of External Influences: Monograph (LAP LAMBERT Academic Publishing, Saarbrücken, Deutschland, 2015), in Russian.

G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).

G. P. Gaidar, Surface Engineering and Applied Electrochemistry 51(2), 188 (2015).

S. I. Budzuliak, Fizyka i khimiia tverdoho tila 13(1), 34 (2012), in Ukrainian.

G. P. Gaidar, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 12(4), 324 (2009).

S. V. Luniov, L. I. Panasiuk, S. A. Fedosov, Ukr. J. Phys. 57(6), 636 (2012).

S. A. Fedosov, S. V. Lunev, D. A. Zakharchuk, L. I. Panasyuk, Yu. V. Koval’, Naukovyi Visnyk Volyns’koho Universytetu im. Lesi Ukrainki, Fizychni Nauky (16), 39 (2011), in Ukrainian.

P. I. Baranskii, A. V. Fedosov, G. P. Gaidar, Physical Properties of Silicon and Germanium Crystals in the Fields of Effective External Influence (Nadstyr’e, Lutsk, 2000), in Ukrainian.

A. V. Fedosov, S. V. Luniov, S. A. Fedosov, Fizyka i tekhnika poluprovodnikov 44 (10), 1307 (2010), in Russian.

L. I. Panasjuk, V. V. Kolomojez, V. V. Bozhko, Naukovyi Visnyk Volyns’koho Universytetu im. Lesi Ukrainki, Fizychni Nauky (3), 3 (2012), in Ukrainian.


Повний текст: PDF
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.