Класичний розмірний ефект в тонких плівках SnTe легованого Sb

Ya. P. Saliy

Анотація


Встановлена можливість отримання сильно дефектних (4×1020 см-3) тонких плівок (d = 200 - 2000 нм) SnTe з р- типу провідності шляхом термічного випаровування в вакуумі кристалів SnTe легованого Sb, з подальшою конденсацією на поверхні (0001) слюди і ситалі. Отримано товщинну залежність електрофізичних властивостей тонких плівок. У цій області товщини спостерігалося зростання рухливості носіїв з товщиною, що обумовлено проявом класичного розмірного ефекту і інтерпретується в рамках теорії Фукса-Зондхеймер. Ці виміри показали слабку кореляцію між довжиною вільного пробігу носіїв заряду і латеральним діаметром поверхневих об’єктів.
Ключові слова:
телурид олова, тонка плівка, товщина, розмірний ефект.

Посилання


D. M. Rowe, CRC Handbook of Thermoelectrics (CRC Press, Boka Raton, London, New York, Washington, 1995).

Yu. I. Ravich, B. A. Efimova, and I. A. Smirnov, Methods of Research on Semiconductors as Applied to Lead Chalcogenides PbTe, PbSe and PbS (Moscow: Nauka, 1968).

T. C. Harman, D. L. Spears, M. J. J. Manfra, J. Electron. Mater. 25, 1121 (1996).

T. C. Harman, D. L. Spears, and M. P. Walsh, J. El. Mater. 28, L1 (1999).

S. I. Menshikova, E. I. Rogacheva, A. Yu. Sipatov, S. I. Krivonogov, P. V. Matychenko, Journal of Thermoelectricity 2, 25 (2015).

Ya. P. Saliy, B. S. Dzundza, I. S. Bylina, O. B. Kostyuk, Journal of nano- and electronic physics 8(2), 02045 (2016).

Ya. P. Saliy, N. I. Bushkov, I. S. Bylina, V. I. Makovyshyn, Physics and chemistry of solid state 17(1), 65 (2016).


Повний текст: PDF
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.