Крайове поглинання тонких плівок (Y0.06Ga0.94)8O3

O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska

Анотація


Методом оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок (Y0.06Ga0.94)2O3, отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, щодані плівки формуються у моноклінній структурі b-Ga2O3. Оптична ширина забороненої зони данихплівок є більшою ніж у плівках b-Ga2O3 і становить 4,66 еВ для плівок, відпалених у кисні, 4,77 еВ дляплівок, відпалених у аргоні і 4,87 еВ для плівок, відновлених у атмосфері водню. Оцінено зведенуефективну масу вільних носіїв заряду у плівках (Y0.06Ga0.94)2O3 після відпалу плівок та після відновлення уводні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відпалу у кисні становить 1,32x1018 см-3, післявідпалу в аргоні – 3,41x1018 см-3, та після відновлення у водні – 5,20x1018 см-3, що характерне длявироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках (Y0.06Ga0.94)2O3 зумовлений ефектом Бурштейна-Мосса.

Ключові слова: оксид ітрію і галію, тонка плівка, край фундаментального поглинання.


Посилання


C. Jin, S. Park, H. Kim, C. Lee, Sensors and Actuators B 161 (1) 223 (2012).

T. Miyata, T. Nakatani, T. Minami, Thin Sol. Films 373 (1–2) 145 (2000).

K. H. Choi, H. C. Kang, Materials Letters 123 160 (2014).

P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, J. F. Muth, Mater. Sci. Eng. B 146 (1–3) 252 (2008).

J.-T. Yan, C.-T. Lee, Sensors and Actuators B 143 (1) 192 (2009).

M. Passlack, M. Hong, E. F. Schubert, J. R. Kwo, J. P. Mannaerst, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. A. Thiel, Appl. Phys. Lett. 66 (5) 625 (1995).

J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie, Chinese Phys. Lett. 25 (10) 3787 (2008).

L. Kong, J. Ma, C. Luan, W. Mi, Yu Lv, Thin Solid Films 520 (13) 4270 (2012).

Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S. Nakagomi, Appl. Phys. Lett. 90 (3) 031912 (2007).

K. Shimamura, E. G. Villora, T. Ujiie, K. Aoki, Appl. Phys. Lett. 92 (20) 201914 (2008).

D. J Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, K. S. Chung, Appl. Phys. Lett. 80 (3) 446 (2002).

Y. Nakano, T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82 (2) 218 (2003).

M. E. Globus, B. V. Grinev, Inorganic scintillators. New and traditional materials (Akta, Kharkov, 2001).

K. Mishra, Y. Dwivedi, S. B. Rai, Appl. Phys. B 106 (1) 101 (2012).

C. Shanga, X. Shang, Y. Qu, M. Li, Chem. Phys. Lett. 501 480 (2011).

H. J. Lee, K. P. Kim, G. Y. Hong, J. S. Yoo, J. Luminescence 130 941 (2010).

A. Yousif, H. C. Swart, O. M. Ntwaeaborwa, Appl. Surf. Sci. 258 (17) 6495 (2012).

V. F. Popova, A. G. Petrosyan, E. A. Tugova, D. P. Romanov, V. V. Gusarov, Russ. J. Inorg. Chem. 54 (4) 624 (2009).

R. Swanepoel, J. Phys. E: Sci. Instrum. 16 (12) 1214 (1983).

A. S. Valeev, Opt. Spectrosc. 15 (4) 500 (1963).

O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, V. B. Lushchanets, J. Appl. Spectrosc. 81 (5) 771 (2014).

I. M. Tsydyl’kovskyy, Band structure of semiconductors (Nauka, Moskva, 1978).

Zh. Pankov, Optical processes in semiconductors (Mir, Moskva, 1973).

H. L. Hartnagel, A. L. Dawar, A. K. Jain, C. Jagadish, Semiconducting Transparent Thin Films (Institute of Physics Publishing, Bristol, 1995).

T. P. McLean, Prog. Semicond. 5 53 (1960).

B. F. Ormont, Introduction to physical chemistry and crystal chemistry of semiconductors (Vysshaya shkola, Moskva, 1973).

N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 71 (4) 933 (1997).

M. J. Gadre, T. L. Alford, Appl. Phys. Lett. 99 (5) 051901 (2011). [29] J. Kumar, A. K. Srivastava, J. Appl. Phys. 115 (13) 134904 (2014).


Повний текст: PDF
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.