Травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1-xTe і CdxHg1-xTe водними розчинами HNO3– НІ – гліцерин

E. E. Hvozdiyevskyi, R. O. Denysyuk, V. M. Tomashyk, Z. F. Tomashyk

Анотація


Досліджено процеси хімічного розчинення монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe(х = 0,04 та 0,1) і Cd0,2Hg0,8Te в водних розчинах HNO3 – НІ – гліцерин. Визначено залежності швидкості травлення вказаних матеріалів від концентрації окисника та органічного розчинника і кінетичні особливості процесу. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні монокристалів досліджуваних напівпровідникових матеріалів.
Ключові слова:
напівпровідник, тверді розчини, монокристал, травник, поверхня, хімічне травлення, хіміко-динамічне полірування.

Посилання


E. O. Bіlevich, Formuvannja polіrovanoї poverhnі monokristalіv teluridu kadmіju ta tverdih rozchinіv na jogo osnovі v travil'nih kompozicіjah HNO3–NHal–kompleksoutvorjuvach dlja priladіv elektronnoї tehnіki. Dis. ... kand. tehn. Nauk (Kyiv, 2002).

R. O. Denisjuk, Z. F. Tomashik, O. S. Chernjuk, V. M. Tomashik, І. І. Gnatіv, Physics and Chemistry of Solid State, 10(1), 134 (2009).

R. O. Denisjuk, V. M. Tomashik, E.E. Gvozdіevs'kij, Voprosy himii i himicheskoj tehnologii 2(106), 51 (2016).

F. S. Novik, R. S.Minc, Ju. S. Malkov, Zavodskaja laboratorija 53(7), 840 (1967).


Повний текст: PDF
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.