Особливості структурних неоднорідностей в легованих монокристалах антимоніду кадмію

Yu. V. Koval, D. A. Zakharchuk, L. V. Yashchynskyy, L. I. Panasyuk, S. A. Fedosov

Анотація


У роботі представлені результати досліджень по виявленню неоднорідностей в кристалах CdSb, легованих Te. Робота переслідує мету дослідити структурні неоднорідності та встановити наявність періодичності в розподілі даних неоднорідностей. Виявлено за допомогою двозондового компенсаційного методу, оптичної топографії, растрової електронної мікроскопії та EDX-аналізу наявність шаруватої структури з декількома типами шарів, що характеризуються різними періодами.
Ключові слова:
анізотропія, кристал, домішка, опір, неоднорідності, шарувата cструктура.

Посилання


K. Rave, Defects and impurities in semiconductor silicon (Springer, Verlag, 1984).

A. J. R. de Kock, S. O. Ferris, L. C. Kimerling, H. J. Leamy, J. Appl. Phys. 48(1), 301 (1977).

H. Ueda, J. Phys. Soc. Jap. 16(1), 61 (1961).

P. I. Baranskii, A. V. Fedosov, G. P. Gaydar, Neodnoridnosti napivprovidnikiv i aktualni zadachi mizhdefektnoyi vzayemodiyi v radiatsiyniy fizitsi i nanotechnologiyi (Nadstir’ya, Lutsk, 2006).

A. K. Semenyuk, Issledovanie electrofizicheskih parametrov kremniya, prednaznachenogo dlya izgotovleniya silovih poluprovodnikovih priborov, otchet po teme No 4320 (Lviv, 1987).


Повний текст: PDF (English)
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.