Особливості електричних характеристик напівізолюючих кристалів CdTe-Сl

Ye. S. Nykoniuk, Z. I. Zakharuk, S. V. Solodin, P. M. Fochuk, S. G. Dremluyzhenko, I. M. Yuriychuk, B. P. Rudyk

Анотація


Досліджено електричні властивості напівізолюючих кристалів CdTe-Сl, вирощених вертикальним методом Бріджмена та методом рухомого нагрівника. Встановлено, що метод рухомого нагрівника забезпечує електронну провідність, а вертикальний метод Бріджмена – діркову. При 300 К питомий опір зразків становить ρ = (108-109) Омсм, холлівська рухливість: дірок µp = (45 - 55) см2/В•с, електронів µn ≈ (10 - 20) см2/В•с. Дуже низькі значення і експоненційна температурна залежність µn зумовлені дрейфовими бар’єрами з висотою εb ≈ 0,20 еВ. Формування останніх пов’язане з флуктуаціями потенціального рельєфу за рахунок мікронеоднорідностей дефектно-домішкової системи. Крім того, в зразках n-CdTe-Cl мають місце квазіфотохімічні реакції, що полягають у зменшенні рухливості електронів після фотозбудження. В зразках p-CdTe-Cl не виявлено ні дрейфових бар’єрів, ні квазіфотохімічних реакцій.
Ключові слова: явища переносу, розсіяння носіїв заряду, телурид кадмію.

Посилання


D. V. Korbutyak, S. V. Melnychuk, Ye. V. Korbut, M. M. Borisyuk, Cadmium Telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kyiv, 2000).

K. Zanio, Cadmium Telluride 13, 235 (1978).

L. Zou, Z. Gu, N. Zhang, Y. Zhang, Z. Fang, W. Zhu and Xinhua Zhong, J. of Material Chemistry 18, 2807 (2008).

K. Shcherbin, S. Odoulov, Z. Zakharuk, I. Rarenko, Optical Materials 18, 159 (2001).

K. L. Chopra, P. D. Paulson, V. Dutta, Progress in Photovoltaics: Research and Applications 12, 69 (2004).

M. Fiederle, V. Babentsov, J. Franc, A. Fauler, J.-P. Konrath, Cryst. Res. Technol. 38, 588 (2003).

P. Zaiour, M. Ayoub, A. Hamié. P. Fawaz, M. Hage-ali, Physics Procedia 55, 476 (2014).

S. G. Dremluzhenko, Z. I. Zakharuk, I. M. Rarenko, V. M. Srtebegev, A. G. Voloshchuk, I. M. Yurijchuk. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 7(1), 52, (2004).

A. Ya. Shik, ZhETF 71, 1159 (1976).

P. M. Fochuk, E. S. Nikonyuk, Z. I. Zakharuk, G. I. Rarenko, S. G. Dremlyuzhenko, Scientific Journal of Chernivtsi University, 771: Chemistry 56 (2016).

Cadmium Telluride and related Compounds, Physics, Defects, Hetero- and Nanostructures, Crystal Growth, Surfaces and Applications (Elsevier, Amsterdam-Oxford, 2010).

L. R. Weisberg, J. Appl. Phys. 33, 1817 (1962).


Повний текст: PDF (English)
7 :: 18

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.