Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації

G. P. Gaidar

Анотація


У роботі досліджено вплив різних режимів термообробки на кінетику електронних процесів у кристалах кремнію, легованих домішкою фосфору через розплав та методом ядерної трансмутації. Встановлено найбільш значний вплив охолодження при проміжному значенні швидкості охолодження (uохол=15 оС/хв) після високотемпературного відпалу на основні електрофізичні параметри трансмутаційно легованих кристалів n‑Si(P). Виявлено і пояснено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і термоерс, виміряних на кристалах кремнію різних способів легування, як у вихідному стані, так і після високотемпературного відпалу при використанні різних швидкостей охолодження.


Посилання


A. I. Belous, V. A. Solodukha, S. V. Shvedov, Kosmicheskaya elektronika. V 2-kh knigakh (Space Electronics. In 2 books) (Tekhnosfera, Moscow, 2015) (in Russian).

J. Vanhellemont, E. Simoen, J. Electrochem. Soc. 154 (7), H572 (2007).

O. V. Tretyak, V. V. Il'chenko, Fizychni osnovy napivprovidnykovoyi elektroniky (Physical Principles of Semiconductor Electronics) (VPTs "Kyivs'kyi universytet", Kyiv, 2011) (in Ukrainian).

A. V. Naumov, Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedeniy. Tsvetnaya metallurgiya (4), 32 (2007) (in Russian).

Yu. M. Smirnov, I. A. Kaplunov, Materialovedenie (5), 48 (2004) (in Russian).

I. A. Kaplunov, Yu. M. Smirnov, A. I. Kolesnikov, Opticheskiy zhurnal (Journal of Optical Technology) 72 (2), 61 (2005) (in Russian).

N. N. Gerasimenko, Yu. N. Parkhomenko, Kremniy – material nanoelektroniki (Silicon – Material for Nanoelectronics) (Tekhnosfera, Moscow, 2007) (in Russian).

G. I. Zebrev, Fizicheskie osnovy kremnievoy nanoelektroniki (Physical Bases of Silicon Nanoelectronics) (BINOM. LZ, Moscow, 2012) (in Russian).

V. A. Gurtov, Tverdotel'naya elektronika (Solid State Electronics) (Tekhnosfera, Moscow, 2008) (in Russian).

B. I. Shklovskii, A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer Science & Business Media, Berlin-Heidelberg, 2013). ISBN: 3662024039.

B. V. Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices (Boulder, 2011), http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/.

V. A. Gurtov, R. N. Osaulenko, Fizika tverdogo tela dlya inzhenerov (Solid State Physics for Engineers) (Tekhnosfera, Moscow, 2007) (in Russian).

S. M. Sze, M.-K. Lee, Semiconductor Devices. Physics and Technology. 3rd edition (John Wiley & Sons Inc., New York, 2016).

B. I. Boltaks, Diffuziya i tochechnye defekty v poluprovodnikakh (Diffusion and Point Defects in Semiconductors) (Nauka, Leningrad, 1972) (in Russian).

V. S. Vavilov, A. R. Chelyadinskiy, Uspekhi fizicheskikh nauk 165 (3), 347 (1995) (in Russian).

S. S. Gorelik, M. Ya. Dashevskiy, Materialovedenie poluprovodnikov i dielektrikov (Material Science of Semiconductors and Dielectrics) (MISIS, Moscow, 2003) (in Russian).

P. I. Barans'kyy, O. Ye. Byelyayev, G. P. Gaidar, V. P. Klad'ko, A. V. Kuchuk, Problemy diahnostyky real'nykh napivprovidnykovykh krystaliv (Problems of Real Semiconductor Crystals Diagnostics) (Naukova dumka, Kyiv, 2014) (in Ukrainian).

R. Triboulet, Crystal Research and Technology 38 (3-5), 215 (2003).

I. S. Shlimak, Fizika tverdogo tela 41(5), 794 (1999) (in Russian).

M. Schnöller, Neutron transmutation doping (NTD) of silicon. In book: Silicon. Evolution and Future of a Technology. Eds. P. Siffert and E.F. Krimmel (Springer, Berlin-Heidelberg, 2004). Part V. P. 231–241.

G. P. Gaidar, P. I. Baranskii, Physica B: Condensed Matter 441, 80 (2014).

W. E. Haas, M. S. Schnoller, J. Electron. Mater. 5 (1), 57 (1976).

H. Bender, phys. stat. sol. (a) 86 (1), 245 (1984).

V. M. Babich, N. I. Bletskan, E. F. Venger, Kislorod v monokristallakh kremniya (Oxygen in the Silicon Single Crystals) (Interpress LTD, Kiev, 1997) (in Russian).

C. Herring, J. Appl. Phys. 31 (11), 1939 (1960).

G. P. Gaidar, Physics and Chemistry of Solid State, 18(1), 34 (2017) (in Ukrainian).


Повний текст: PDF (Ukr.) PDF (En.) (English)
7 :: 19

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.