Особливості формування НВЧ - арсенід галієвих субмікронних структур великих інтегральних схем

N. T. Humeniuk, S. P. Novosiadlyi, V. І. Mandzyuk, І. Z. Huk

Анотація


Немає сумніву, що використання польових транзисторів із затвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. В даній статті розглянуто особливості технологічних процесів формування субмікронних ПТШ структур арсенідгалієвою технологією. А саме технологію формування польових транзисторів Шотткі із самозміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму.

Ключові слова: арсенід галію, польові транзистори Шотткі, нітрид вольфраму, силіцид вольфраму,монокремій.


Посилання


S. P. Novosjadlyj, Т. R. Sоrokhtej, Metalofizyka i novitni tekhnologii 2(4), 17 (2011).

S. P. Novosjadlyj, Fizyko-tekhnolohichni osnovy submikronnoi tekhnologii VIS (Simyk, Ivano-Frankivs’k, 2003).

S. P. Novosjadlyj, А. І. Теrlets’kyj, О. B. Fryk, Skhidno-Evropejs’kyj zhurnal peredovykh tekhnologij 3/7(45), 52 (2010).

S. P. Novosjadlyj, Sub- і nanomikronna tekhnologija structur VІS. Моnоgrafija (Міsto NV, Ivano-Frankivs’k, 2010).


Повний текст: PDF (Ukr.) PDF (English)
7 :: 19

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.