Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si в області переходу метал-діелектрик

A. Druzhynin, I. Ostrovsky, Yu. Khoverko, N. Lyakh-Kaguy

Анотація


Магнітоопір ниткоподібних кристалів (НК) GeхSi1-х (x = 0,002¸0,11) з концентрацією акцепторів(Na = 3.1018 ¸ 2.1019 cм-3) поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД) вивчали за низьких температур (4,2 -77 К) в магнітних полях до 14 Т. Показано, що при 4,2 К магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si з діелектричного боку переходу є квадратичним, тоді як магнітоопір кристалів з металевого боку переходу має експоненціальну залежність від магнітного поля. У зразках у безпосередній близькості до ПМД здіелектричного боку виявлено від’ємний магнітоопір, тоді як у зразках з металевого боку переходу звисоким вмістом германію (х = 11 ат.%) спостерігається аномальний позитивний магнітоопір. Отримані аномальні залежності, відповідно, пояснюються провідністю по делокалізованих станах А+ верхньої зони Хаббарда та збільшенням електрон-електронної взаємодії в НК Ge-Si при збільшенні вмісту германію.

Ключові слова: магнітоопір, ниткоподібні кристали, тверді розчини Ge-Si, перехід метал-діелектрик.


Посилання


I. Ennen, D. Kappe, T. Rempel, C. Glenske, and A. Hutten, Sensors (Basel) 16(6), 904 (2016).

N. P. Stepina, E. S. Koptev, A. G. Pogosov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, E. Yu. Zhdanov and Y. M. Galperin, J. Phys.: Condens. Matter, 25, 505801 (2013).

A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, G. M. Min’kov, J. Exp. Theor. Phys. 100, 722 (2005).

B. I. Shklovskii, A. L. Efros, Electron Properties of Doped Semiconductors (Nauka, Moskow, 1979). (In Russian).

E. E. Rafey, S. A. El.-Atawy. Can. J. Phys. 65, 88 (1987).

T. G. Gastner, W. N. Shafarman, J. S. Brooks, K. P. Martin, Solid State Phys. 5, 366 (1988).

A. Druzhinin, E. Lavitska, I. Maryamova et al., Cryst. Res. Technol. 37, 243 (2002).

A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Physica Status Solidi C 1(2), 333 (2004).

A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, N. S. Liakh, Physics and Chemistry of Solid State 4(3), 485 (2003).

A. N. Ionov, I. S. Shlimak, Physics and Technics of Semiconductors 11(4), 741 (1977). (In Russian).

I. E. Trofimov, A. I. Denin, V. P. Murzin, Magnetoresistance in D- band. (Preprint, Moskov, 1989) (in Russian).


Повний текст: PDF (English) PDF (Ukr.)
7 :: 19

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.