Електропровідність та магнетоопір мікроструктур кремнію за низьких температур в околі переходу метал-діелектрик

Yuriy Khoverko, Natalia Shcherban

Анотація


Проведено комплексні дослідження мікрокристалів кремнію з питомим опором від ρ300К =0,025 Ом×см до ρ300К = 0,007 Ом×см, легованих транспортною домішкою бору до концентрацій, щовідповідають переходу метал-діелектрик та модифікованих домішкою перехідного металу нікелю занизьких температур до температури скрапленого гелію Т = 4,2 К в магнітних полях до 14 Тл. Визначеноособливості електрофізичних характеристик зразків за низьких температур в сильних магнітних полях до14 Тл, що обумовлені впливом магнітної домішки в розбавлених магнетитиками напівпровідниках ізапропоновано викорастання таких кристалів в сенсорах фізичних величин (температура, магнітне поле,деформація).

Ключові слова: стрибкова провідність; мікрокристал; від’ємний магнітоопір; спін; кріогеннітемператури.


Посилання


A. A. Barlian , S. J. Park , V. Mukundan , B. L. Pruitt, Sens Actuators A, 134 (2007) 77–87.

A. Druzhinin, I. Maryamova, E. Lavitska, Y. Pankov, Sensors and Actuators: A. Physical, 68(1-3) (1998) 229-233.

A. Fert, Thin Solid Films, 517, (2008) 2-5.

I. Zutic, J. Fabian, and S. Das Sarma, Rev. Mod. Phys., 76 (2004) 323.

D. Sanchez, C. Gould, G. Schmidt and L. W. Molenkamp, IEEE Trans. Electron Devices, 54 (2007) 984 – 990.

H. W. Wu, C. J. Tsai, and L. J. Chen, Appl.Phys. Let., 90 (2007) 043121.

E. Durgun, D. Cakir, N. Akman, and S. Ciraci, Phys. Rev. Lett., 99(25) (2007) 256806.

A. Kamra, B. Ghosh and T. K. Ghosh, J. Appl. Phys., 108 (2010) 054505.

A. Kaminski, S. Das Sarma, Phys. Rev. B, 68 (2003) 235210.

A. Kaminski, S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett., 88 (2002) 247202.

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, R. Koretskyy, Iu. Kogut, Phys. Status Solidi A, 211(2) (2014) 504–508.

S. Yatsukhnenko et al., Nanoscale Research Letters, 78(12), (2017) 1-7.

Liang Wei-Hua, Ding Xue-Cheng, Chu Li-Zhi, Deng Ze-Chao, Guo Jian-Xin, Wu Zhuan-Hua, Wang Ying-Long, Acta Phys. Sin., 59(11) (2010) 8071-8077.

A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, Iu. R. Kogut, S. I. Nichkalo, J. K. Warchulska, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 12 (2012) 8690–8693.

Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko, Sergij Yatsukhnenko, Journal of Nano Research, 39 (2016) 43–54.

A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, N. S. Liakh-Kaguj and Iu. R. Kogut, Materials Science in Semiconductor Processing, 14(1) (2011) 18–22.

A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, K. Rogacki et al, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 393 (2015) 310–315.

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, R. Koretskii, Materials Science in Semiconductor Processing, 40 (2015) 766–771.

S. Das Sarma, E. H. Hwang, A. Kaminski, Phys. Rev. B, 67 (2003) 155201.

Antonio Ferreira da Silva, Alexandre Levine and Zahra Sadre Momtaz, Henri Boudinovm, Bo E. Sernelius, Physical Review B, 91 (2015) 214414.

A. I. Veygner, A. G. Zabrodski, T. V. Tysnek, Semiconductors, 34(7) (2000) 774–782.


Повний текст: PDF (Ukr.) PDF (En) (English)
7 :: 19

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.