Множина важливих кінетичних властивостей кристалів та їх залежність від механізмів розсіювання носіїв зарядів

Yaroslav Stepan Budzak, Tadeusz Wacławski

Анотація


В нерівноважній термодинаміці відомі узагальнені рівняння    електропровідності та теплопровідності. Вони описують відгук провідного середовища на дію дрейфових полів в ньому  та магнітного поля. В ці рівняння  входять феноменологічні тензори  та коефіцієнти, які визначають всю множну важливих кінетичних  властивостей провідних кристалів. Отже, для вияснення природи властивостей кристала необхідно вияснити  природу множини кінетичних тензорів і коефіцієнтів, які входять в узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності. В даній роботі вся множина цих важливих величин для ізотропних кристалів методами статистичної фізики розраховуються при загальних умовах спостереження.

Ключові слова: потенціал Гіббса, ентропія, електропровідність, теплопровідність, алгоритм, тензор.


Посилання


Ya. S. Budzhak, Physics and Chemistry of Solid State 18(1), 7 (2017) (doi:10.15330/pcss.18.1.7-14).

Ya. S. Budzhak, V. Tchaban, Energy and kinetic properties of semiconductor crystals (ProstirM, Lviv, 2017).

B. M. Askerov, Kinetic phenomena in semiconductors (Nauka, St. Petersburg, 1970 ).

B. M. Askerov, Electron kinetic phenomena in semiconductors

(Nauka, Moscow, 1985).

Ya. S. Budzhak, Technical News 39(1), 40(2), 36 (2014).


Повний текст: PDF (En.) (English) PDF (Ukr.)
7 :: 19

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.