Діркова провідність тонких шарів кадмій телуриду з домішками Li та Ca

V. P. Makhniy, T. M. Mazur, M. M. Berezovsky, O. V. Kinzerska, V. V. Prokopiv

Анотація


Низькотемпературним відпалом підкладок n-CdTe у водяних суспензіях солей LiNO3 та Ca(NO3)2 створені  шари p-типу провідності. Оціночна концентрація вільних дірок в дифузійних шарах при 300 К становить  (5-50)∙1015 см-3.

Ключові слова: кадмій телурид, провідність, ізовалентна домішка, точкові дефекти, енергія іонізації.

 

 


Посилання


Properties of narrowgap cadmium based compounds (INSPEC, The institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom, 1994).

D. V. Korbutyak, S. V. Melnychuk, E. V. Korbut, M. M. Borysyuk, Cadmium telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kiev, 2000).

K. Chopra, S. Das, Thin-film solar cells (MIR, Moscow, 1986).

V. P. Makhniy, I. I. German, G. I. Bodyul, Method for obtaining Hd-conductive CdTe layers. Patent of Ukraine for Utility Model UA №107086, Byul. №10, 25.05.2015.

I. V. Shalimova, Semiconductor Physics (Energoatom, Moscow, 1985).

V. P. Makhniy, Physics and Chemistry of Point Defects in Semiconductors (Chernivtsi National University, Chernivtsi, 2014).


Повний текст: PDF (En.) (English) PDF (Ukr.)
7 :: 19

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.