Електрофізичні властивості кристалів Cd1-xMnxTe (х<0,1), легованих германієм

S. Solodin, Ye. Nikoniuk, G. Rarenko, P. Fochuk

Анотація


Методом Бріджмена вирощено кристали Cd1-xMnxTe (х=0,02; 0,04; 0,08), леговані домішкою Ge. Електричними вимірюваннями в інтервалі температур 280-420 К встановлено, що діркова провідність кристалів контролюється глибокими компенсованими акцепторами, енергія іонізації яких (εА) збільшується з вмістом Mn(x) згідно зі співвідношенням εА=0,6(1+2х) еВ. При 300 К: ρ = (108-109) (Ом×см), RХ=(5×109-5×1010) см3/Кл;  рухливість носіїв струму ~50 см2/(В×с).


Ключові слова


Cd1-xMnxTe; тверді розчини; електричні властивості; ефект Холла; Германій

Посилання


S.A. Gad, M. Boshta, A.M. Moustafa, et al., Solid State Sciences 13, 23 (2011).

Y. Cui, A. Bolotnikov, A. Hossain, et al., Proc. SPIE 7079, 70790N-1 (2008).

W. Liang, K, Qin, J. Zhang, et al., J. Cryst. Growth 419, 123 (2015).

K. Shcherbin, S. Odoulov, Z. Zakharuk, I. Rarenko, Optical Materials 18, 159 (2001).

M. B. Klein, K. Shcherbin, V. Danylyuk, OSA, Washington, DC, 483 (2003).

V. Matlak, Ye. Nykonyuk, A. Savitskyi, K. Tovstyuk, Sov. Phys. Semicond. 6, 1760 (1972).

O.Panchuk, A.Savitskiy, P.Fochuk, et al., J.Cryst. Growth, 197, 607 (1999).

Ye. Nykonyuk, V. Matlak, R. Ivanchuk, A. Savitskyi, in “Fizychna Elektronika” (in Ukrainian), Lviv, Vyshcha Shkola, 8 (1970).

A. Savitskiy, Ye. Nykonyuk, V. Matlak, et al., in Pytannya suchasnoho pryrodoznavstva (in Ukrainian), Lviv, Vyshcha Shkola, 52 (1975).

L. Shcherbak, Ye. Nykonyuk, O. Panchuk, et al., Inorg. Mater. 13, 415 (1977).

C. Scharager, P. Siffert, P. Hooschl, et al., Phys. Status Solidi (a) 66, 87 (1981).

M. Fiederle, V. Babentsov, J. Franc, et al., J. Cryst. Growth 243, 77 (2002).

B. Farid, Ph.D. Thesis., University D.Diderot, Paris, 2000.

B. Farid, F. Ramaz, O. Panchuk, et al., Opt. Mater., 18, 7 (2001).

E. Rzepka, Y. Marfaing, M. Cuniot, R. Triboulet, Mater. Sci. Eng. B 16, 262 (1993).

B. Fraboni, F. Boscherini, P. Fochuk and A. Cavallini, J. Appl. Phys. 110, 053706 (2011).

P. Feichuk, L. Shcherbak, D. Pluta, et al., Proc. SPIE 3182, 100 (1997).

P. Gorley, O. Parfenyuk, M. Ilashchuk, I. Nikolayevych, Inorg. Mater. 41, 1266 (2005).

F.A. Kroger, Rev. Phys. Appl., 12, 205 (1975).

O. Panchuk, L. Shcherbak, Ye. Nykonyuk, A. Savitskiy, Inorg. Mater. 16, 433 (1980).

O. Panchuk, A. Savitskiy, P. Fochuk, et al., J. Cryst. Growth 197, 607 (1999).

J. E. Jaffe, J. Appl. Phys., 99, 033704 (2006).

Ye. Nikonyuk, Z. Zakharuk, A.Rarenko, et al., Physics and chemistry of solid state 6, 372 (2005).

Z. Zakharuk, A. Rarenko, E. Rybak, et al., Physics and chemistry of solid state 8, 25 (2007).

V. Zayachivsky, M. Kovaletz, N. Kuchma, et al, PTE 5, 211 (1984).

E. Nikonyuk, Z. Zakharuk, A.Rarenko, et al., J. Nano- and Electron. Phys. 7, 04054 (2015).

E. Nikonyuk, Z. Zakharuk, M. Kuchma, et al., Semiconductors 42, 1012 (2008).

K. Zanio. Semicond. аnd Semimet. 13, 235 (1978).

A. Vlasenko, V. Babentsov, S. Svechnykov, et al., FTP 31, 1017 (2001).

P. Zhukovsky, Ya. Partyka, P. Wengerek, et al., FTP 35, 937 (2001).

P. Fochuk, Ye. Nikonyuk, Z. Zakharuk, et al., J. Nano- and Electron. Phys. 8, 04011 (2016).

L. R.Weisberg. J. Appl. Phys. 33, 1817 (1962).


Повний текст: PDF PDF (English)
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.