Епітаксіальні плівки SiGe з дислокаціями для пам’яті з можливістю перемикання: точні розрахунки з перших принципів

R. Balabai, D. Zalevskyi

Анотація


Методами теорії функціоналу електронної густини і псевдопотенціалу із перших принципів отриманіхарактеристики електронної підсистеми робочого шару RRAM (Resistive Random Access Memory), щопобудований на основі епітаксіальних плівок Si0,9Ge0,1 з дислокаціями та впровадженими в них атомамисрібла. Розраховано просторові розподіли густини валентних електронів та їх перерізи в межах комірки,розподіл густини електронних станів, електричні заряди в околі остова атома кремнію при різних атомнихоточеннях. Досліджено, як зміни в електронній підсистемі досліджуваних об’єктів впливають на зміну їхвластивостей від непровідних до провідних.

Ключові слова


резистивна пам’ять довільного доступу, функціонал електронної густини, псевдопотенціал із перших принципів, електронна структура, густина електронних станів.

Посилання


Shinhyun Choi et al., Nature Materials 17, 335 (2018).

Y. Burgt et al., Nat. Mater. 16, 414 (2017).

Z. Wang et al., Nat. Mater. 16, 101 (2016).

K.-H. Kim et al., Nano Lett. 12, 389 (2012).

Y. Yang et al., Nat. Commun. 5, 377 (2014).

S. H. Jo, K. H. Kim, W. Lu, Nano Lett. 9, 870 (2009).

Y. Yang et al., Nat. Commun. 3, 732 (2012).

K. Krishnan, T. Tsuruoka, C. Mannequin, & M. Aono, Adv. Mater. 28, 640 (2016).

D.C. Houghton, J. Appl. Phys. 70, 2136 (1991).

F. Rollert, N.A. Stolwijk, & H. Mehrer, J. Phys. D 20, 1148 (1987).

N. Yakovkin, P.A. Dowben, Surface Review and Letters 14(3), 481 (2007).

E. S. Kryachko, E.V. Ludena, Physics Reports 544, 123 (2014).

Ab initio calculation [E-resource] – Mode access to the resource: http://sites.google.com/a/kdpu.edu.ua/calculationphysics.


Повний текст: PDF PDF (English)
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.