Формування нанокластерів на адсорбованій поверхні під впливом всебічного тиску та електричного поля

R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv

Анотація


У роботі досліджено вплив електричного поля та всебічного тиску на умови формування та період поверхневої надгратки адсорбованих атомів у напівпровідниках. Встановлено, що у напівпровіднику GaAs збільшення всебічного тиску та напруженості електричного поля залежно від напрямку призводить до збільшення або зменшення критичної температури (критичної концентрації адатомів), при якій можливе формування самоорганізованої наноструктури. Показано, що у сильнолегованому напівпровіднику n-GaAs збільшення напруженості електричного поля призводить до монотонної зміни (зменшення чи збільшення залежно від напрямку електричного поля) періоду самоорганізованих поверхневих наноструктур адатомів. Визначено період нанометрової структури адатомів залежно від величини всебічного тиску, температури, середньої концентрації адатомів та електронів провідності. Встановлено, що збільшення тиску призводить до розширення температурних інтервалів, у межах яких формуються нанометрові структури адатомів, та зменшення їх періоду.


Ключові слова


нуклеація, всебічний тиск, електричне поле, адатом, поверхнева надгратка, деформація

Посилання


S. Höhm, M. Rohloff, A. Rosenfeld, J. Krüger, J. Bonse, Appl. Phys. A, 110(3), 553 (2013) (https://doi.org/10.1007/s00339-012-7184-z).

J. Wu., Y. Yang, H. Gao, Y. Qi, AIP Advances, 7(3), 035218 (2017) (https://doi.org/10.1063/1.4979507)

J. Bonse, S. Höhm, S. V. Kirner, A. Rosenfeld, J. Krüger, IEEE Journal of selected topics in quantum electronics, 23(3), 9000615 (2017) (https://doi.org/10.1109/JSTQE.2016.2614183).

V. I. Emel’yanov, Laser Phys., 18(12), 1435 (2008) (https://doi.org/10.1134/S1054660X08120104)

A. I. Vlasenko, A. Baidullaeva, V. P. Veleschuk, P. E. Mozol, N. I. Boiko, O. S. Litvin, Semiconductors, 49(2), 229 (2015) (https://doi.org/10.1134/S1063782615020220).

Y. Zeng, B. Tao, J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 195308 (2016) (doi.org/10.1088/0022-3727/49/19/195308).

C. Tang, X. Liao, W. Zhong, H. Yu, Zh. Liu, RSC Advances, 11, 6439 (2017) (doi:10.1039/C6RA27426A).

R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv, Journal of Nano- and Electronic Physics, 10(1), 01014 (2018) (https://doi.org/10.21272/jnep.10(1).01014).

C. Taylor, E. Marega, E. A. Stach, G. Salamo, L. Hussey, M. Munoz, A. Malshe, Nanotechnology, 19, 015301 (2008) (https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/01/015301).

R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv, Ukr. J. Phys., 61(8), 741 (2016) (https://doi.org/10.15407/ujpe61.08.0747).

R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv, J. Nano- Electron. Phys., 8(2), 02014 (2016) (http://dx.doi.org/10.21272/jnep.8(2).02014).

R. M. Peleshchak, S. K. Guba, O. V. Kuzyk, I. V. Kurilo, O. O. Dan’kiv, Semiconductors, 47(3), 349 (2013) (https://doi.org/10.1134/S1063782613030196).

R. D. Vengrenovich, Yu. V. Gudyma, and S. V. Yarema, Semiconductors, 35(12), 1378 (2001) (https://doi.org/10.1134/1.1427975).

N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, D. Bimberg, Semiconnductors, 32(4), 343 (1998) (https://doi.org/10.1134/1.1187396).

R. M. Peleshchak, I. I. Lazurchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv, G. G. Zegrya, Semiconductors, 50(3), 314 (2016) (https://doi.org/10.1134/S1063782616030180).

R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv, Cond. Mat. Phys., 18(4), 43801 (2015) (doi:10.5488/CMP.18.43801).

Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko, O. Ya. Olikh, V. A. Shenderovsky, Journal of Electronic Materials, 47, 4370 (2018) (https://www.springerprofessional.de/journal-of-electronic-materials-8-2018/15902282).

C. Kristukat, A.R. Goci, Phys. stat. sol. (b), 244, 53 (2007) (https://doi.org/10.1002/pssb.200672511).

O. V. Balaban, I. I. Grygorchak, R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv, Progress in Natural Science: Mater. International, 24(4), 397 (2014) (https://doi.org/10.1016/j.pnsc.2014.07.003).

S. Ostapenko, Appl. Phys. A, 69(2), 225 (1999) (doi:10.1007/s003390050994).

O. Ya. Olikh, K. V. Voytenko, R. M. Burbelo, Journal of Applied Physics, 117(4), 044505 (2015) (https://doi.org/10.1063/1.4906844).

I. V. Ostrovsky, A. B. Nadtochyi, A. A. podolyan, FTP, 36, 389 (2002).

L. D. Landau, E. M. Lifshitz, Theory of Elasticity (Pergamon Press, London, 1970).

R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv, Cond. Mat. Phys., 17(2), 23601 (2014) (https://doi.org/10.5488/CMP.17.23601).

C. G. van de Walle, Phys. Rev. B., 39(3), 1871 (1989) (https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.1871).

J. F. Wager, J. Appl. Phys., 69(5), 3022 (1991) (doi.org/10.1063/1.348589).

T. T. Mnatsakanov, M. E. Levinshtein, Semiconductors, 38(1), 56 (2004) (doi: doi.org/10.1134/1.1641133).

K. F. MacDonald, V. A. Fedotov, Applied Phys. Let., 80, 1643 (2002) (https://doi.org/10.1063/1.1456260).

R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan’kiv, Ukr. J. Phys., 55(4), 434 (2010).


Повний текст: PDF PDF (English)
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.