Діркові стани в сферичних квантових наногетероситемах з проміжною спін-орбітальною взаємодією

I. V. Bilynskyi, R Y. Leshko, I. Shevchuk, H. Metsan

Анотація


Спектр енергії дірок вивчений для сферичної напівпровідникової наногетеросистеми з кубічноюсиметрією. Точні рішення рівняння Шредінгера для основного та збудженого станів дірок представлені врамках 6-смугового гамільтоніана Луттінгера та кінцевого проміжку смуг з відповідними граничнимиумовами. Для гетероструктури GaAs / AlAs обчислено залежність енергій дірок від радіуса квантовоїточки. Отримані результати порівняно з даними, отриманими за допомогою моделі нескінченногопотенційного колодязя, а також однодіапазонної моделі для важких і легких дірок.

Ключові слова


квантовий дон, спектр дірок, 6-діапазонна модель

Посилання


V. Sivasubramanian, A. K. Arora, M. Premila, C.S. Sundar, V.S. Sastry, Physica E, 31(1) (2006) 93-98 (http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2005.10.001).

P. Ardalan, T. P. Brennan, H.-B.-R. Lee, J. R. Bakke, I-K. Ding, M. D. McGehee, S. F. Bent, ACS Nano, 5(2) (2011) 1495-1504 (http://dx.doi.org/10.1021/nn103371v).

K.-L. Chou, H. Meng, Y. Cen, L. Li, J.-Y. Chen, J. Nanopart. Res., 15 (2012) 1348 (http://dx.doi.org/10.1007/s11051-012-1348-9).

L. Shao, Y. Gao, F. Yan, Semiconductor quantum dots for biomedical applications, Sensors, 11(12) (2011) 11736-11751 (http://dx.doi.org/10.3390/s111211736).

T. Pons, H. Mattoussi, Ann. Biomed. Eng., 37(10) (2009) 1934--1959 (http://dx.doi.org/10.1007/s10439-009-9715-0).

J. C. C. Santos, A. A. P. Mansur, H. S. Mansur, Molecules, 18(6) (2013) 6550-6572 (http://dx.doi.org/10.3390/molecules18066550).

A. I. Ekimov, I. A. Kudryavtsev, M. G. Ivanov, Al. L. Efros, J. Lumin., 46 (2) (1990) 83-95 (http://dx.doi.org/10.1016/0022-2313(90)90010-9).

N. A. Efremov, S. I. Pokutnii, Solid State Phys., 32 (10) (1990) 2921-2930.

S. I. Pokutnii, Semiconductors, 31(12) (1997) 1247-1251 (http://dx.doi.org/10.1134/1.1187305).

V. I. Klimov, J. Phys. Chem., B 104(26) (2000) 6112-6123 (http://dx.doi.org/10.1021/jp9944132).

N. V. Tkach, Yu. A. Sety, Semiconductors, 40(9) (2006) 1083-1092 (http://dx.doi.org/10.1134/S106378260609017X).

N. V. Tkach, Yu. A. Seti, Phys. Solid State, 51(5) (2009) 1033-1040 (http://dx.doi.org/10.1134/S1063783409050230).

M. Bissiri, G. Baldassari, M. Capizzi, V. M. Fomin, V. N. Gladilin and J. T. Vreese, Phys.status solidi (b), 224(3), p.639-642 (2001) (https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<639::AID-PSSB639>3.0.CO;2-1).

V. I. Boichuk, I. V. Bilynskyi, I. O. Shakleina, V. B. Holskyi, Condensed Matter Physics, 13(1), 2010, 13701(1)- 13701(11) (10.5488/CMP.13.13701).

V. I. Boichuk, I. V. Bilynskyi, R. Ya. Leshko, L. M. Turyanska, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 44 (2011) 476-482 (10.1016/j.physe.2011.09.025).

V. I. Boichuk, R. Ya. Leshko, I. V. Bilynskyi, L. M. Turyanska, Condensed Matter Physics, 2012, 15(3), 33702:1-10 (https://doi.org/10.5488/CMP.15.33702).

V. I. Boichuk, I. V. Bilynskyi, R. Ya. Leshko, L. M. Turyanska, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 54 (2013) 281–287 (10.1016/j.physe.2013.07.003).

C. Hermann, C. Weisbuch, Phys. Rev. B, 15(2), (1977) 823-833 (http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.15.823).

A. Baldereschi, N. O. Lipary, Phys. Rev. B, 8(6), (1973) 2697-2709 (http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.8.2697).

G. B. Grigoryan, E. M. Kazaryan, Al. L. Efros, T. B. Yazeva, Solid State Phys., 32(6), (1990) 1722-1779. (Russian).

V. Sheka, D. Sheka, JETP, 51(5), 1445-1446.

D. J. Ben Daniel and C. B. Duke, Phys. Rev., 152, 683 (1966).

V. I. Boichuk, I. V. Bilynskyi, R. Ya. Leshko, I. O. Shakleyina, Ukrainian Journal of Physics, 55(3), 2010, 326-334.


Повний текст: PDF (English)
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.