Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1-xZnxTe

P. O. Gentsar, S. M. Levytskyi

Анотація


В даній роботі проведено оптичні дослідження спектрів пропускання та відбивання монокристалів р-CdTe (111); твердих розчинів Cd1-хZnхTe (х=0,1) в діапазоні (0,2 – 1,7)·10-6 м до та після лазерного опромінення  на довжині світлової хвилі λ = 532 нм в інтервалі енергій 66 – 164 мДж/см2 для CdTe (111) та в інтервалі енергій 46,6 мДж/см2-163,5 мДж/см2 для Cd1-хZnxTe (x=0,1). Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв’язувати домішки.

Ключові слова


CdTe, CdZnTe, пропускання, відбивання, поглинання, лазерне опромінення

Посилання


D. V. Korbutyak, S. V. Melnychuk. E. V. Corbut, M. M. Borysyuk, Cadmium telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kyiv, 2000).

V. I. Khivrich, Effects of compensation and penetrating radiation in CdTe single crystals (Institute for Nuclear Research, Kyiv, 2010).

T. E. Schlesinger, J. E. Toney, H. Yoon, E. Y. Lee, B. A. Brunett, L. Franks, R. B. James, Materials Science and Engineering, 32, 103 (2001) (https://doi.org/10.1016/S0927-796X(01)00027-4).

V. A. Gnatyuk, T. Aoki, O. I. Vlasenko, S. N. Levytskyi, 2011 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference Record (NSS/MIC), (IEEE, Valencia, 2011), p. 4506.

P. O. Gentsar, O. I. Vlasenko, S. M. Levytskyi, V. A. Gnatyuk, Physics and Chemistry of Solid State 15(4), 856 (2014).

P. O. Gentsar, O. I. Vlasenko, S. M. Levytskyi, V International Scientific and Practical Conference on Semiconductor Materials, Information Technologies and Photovoltaics (SMITP-2018), (Kremenchuk Mykhaylo Ostrogradsky National University, Kremenchuk, 2018), p. 12.

F. Bechstedt, R. Enderline, Surfaces and Boundaries of the Semiconductor Division (Mir, Moscow, 1990).

Problems of surface physics of semiconductors (Naukova Dumka, Kyiv, 1981).

V. E. Primachenko, O. V. Snitko, Physics of a metal-doped semiconductor surface (Naukova Dumka, Kyiv, 1988).


Повний текст: PDF (English) PDF
7 :: 21

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.