Особливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використань

T. Benko, I. Kogut, S. Novosiadly

Анотація


В даній статті проаналізовано структуру арсенід галієвого ПТШ на кремнієвій підкладці, придатногодля локальної інтеграції в КНІ-технології та метод його електрофізичного діагностування на основі змінтеплового опору RT. Відомо, що теплопровідність GaAs в 3 - 4 рази є гіршою порівняно кремнієм. Щобусунути цей недолік було розроблено технологію формування приладних швидкісних GaAs-структур наповерхні кремнієвої підкладки.

Ключові слова


арсенід галію, польовий транзистор, тепловий опір, електрофізичне діагностування

Посилання


S.P. Novosyadlyj, Sub- i nanomikronna texnologiya struktur VIS (Misto NV, Ivano-Frankivsk, 2010).

S.P. Novosyadlyj, A.I. Terleczkyj, Diagnostyka submikronnyx struktur VIS: monografiya (Simyk, Ivano-Frankivsk, 2016).

D.Y. Zaks, Parametr teplovogo rezhyma poluprovodnykovx mykrosxem (Radyoy svyaz, Moskva, 1983).

C. Canali, F. Chiussi, G. Donzelli, E. Zanoni, Microelectronics Reliability 29(2), 117 (1986).

A. L. Zaxarov, E. Y. Asvadurova, Raschet teplovx parametrov poluprovodnykovx pryborov (Radyoy svyaz, Moskva, 1989).

S.P. Novosyadlyj, B.S. Dzundza, V.M. Gryga, M.V. Kotyk, S.V. Novosyadlyj, V.I. Mandzyuk, Sxidnoyevropejs kyj zhurnal peredovy texnologij 5/5/89, 26 (2017).

Yu.M. Kalnybolotskyj, Yu.V. Korolev, G.Y. Bogdan, B.C. Rogoza, Raschet konstruyrovany mykrosxem (Vyshha shkola, Kyyiv, 1983).

I.T. Kogut, V.I. Holota, A.A. Druzhinin, V.V. Dovhiy, Journal of Nanoresearch 39, 228 (2016) (10.4028/www.scientific.net/JNano R. 39.228).


Повний текст: PDF PDF (English)
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.