Оптичні властивості CdTe, легованого Ca

T. M. Mazur, V. V. Prokopiv, M. M. Slyotov, M. P. Mazur, O. V. Kinzerska, O. M. Slyotov

Анотація


Досліджено оптичне поглинання, відбивання і люмінесценцію CdTe:Ca. Встановлено, що отримані леговані Ca поверхневі шари характеризуються інтенсивною фотолюмінесценцією з 8-10% у крайовій області. Випромінювання формується внаслідок міжзонної рекомбінації вільних носіїв заряду і анігіляцією зв’язаних на ізовалентних домішках Ca екситонів. Зазначені складові спостерігаються у диференційних спектрах оптичного відбивання  у приповерхневому шарі, отриманому при  легуванні ізовалентною домішкою Ca підкладинок CdTe. Встановлено, що легування обумовлює утворення p-типу провідності.

Ключові слова


телурид кадмію; ізовалетна домішка; оптичне поглинання і відбивання; інтенсивна фотолюмінесценція

Посилання


O. Ermakov, Applied optoelectronics (Technosphere, Moskva, 2004).

V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, N.V. Skrypnyk, Ukrainian Journal of Physical Optics 10(1), 54 (2009) (https://doi.org/10.3116/16091833/10/1/54/2009).

D.V. Korbutyak, S.V. Melnichuk, E.V. Korbut, M.M. Borisyuk, Telluride cadmium: home-defective camps and detection authorities ("Ivan Fedorov", Kyiv, 2000).

T. Mazur, V. Prokopiv, L. Turovska, Molecular Crystals and Liquid Crystals 671(1), 85 (2018) (https://doi.org/10.1080/15421406.2018.1542088).

T.M. Mazur, V.P. Makhniy, V.V. Prokopiv, M.M. Slyotov, Journal of Nano- and Electronic Physics, 9(5), 05047 (2017) (https://doi.org/10.21272/jnep.9(5).05047).

V.I. Fistul, Atoms of dopants in semiconductors (state and behavior) (Fizmatlit, Moskva, 2004).

V.P. Makhniy, M.M. Sletov, N.V. Demich., A.M. Sletov, Transactions of Int. scientific conf. "Actual problems of solid state physics." (Ed. Center BSU, Minsk, 2005), 385.

V.P. Makhniy, T.M. Mazur, M.M. Berezovsky, O.V. Kinzerska, V.V. Prokopiv, Physics and Chemistry of Solid State, 19(4), 313 (2018) (https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.372-375).

Yu.V. Vorobiev, V.I. Dobrovolsky, V.I. Stryha, Semiconductor research methods (Vyshcha schola, Kyiv, 1988).

M.M. Slyotov, А.M. Slyotov, Journal IAPGOS, 4, 4 (2018).

V.V. Prokopiv, B.S. Dzundza, O.B. Kostyuk, T.M. Mazur, L.V. Turovska, O.M. Matkivskyi, M.V. Deychakivskyi, Physics and Chemistry of Solid State, 20 (4), 372 (2019) (https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.372-375).

V.P. Gribkovsky, The theory of absorption and emission of light in semiconductors (Science and technology, Minsk, 1975).

V.I Gavrilenko, A.M. Grekhov, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko, Optical properties of semiconductors. Directory (Naukova Dumka, Kyiv, 1987).

V. Khomyak, M. Slyotov, I. Shtepliuk, O. Slyotov, and V. Kosolovskiy, Acta Physica Polonica A, 122 (6), 1039 (2012).

Era Koh, D.W. Langer, J. Luminescence, (1-2), 514 (1970).

M.M. Slyotov, V.P. Makhniy, A.M. Slyotov, V.V. Kosolovskiy, Telecommunication and Radio Engineering, 73 (10), 909 (2014) (https://doi.org/10.1615/TelecomRadEng.v73.i10.50).

I.V. Horichok, H.Ya. Hurhula, V.V. Prokopiv, M.A. Pylyponiuk, Ukrainian Journal of Physics, 61 (11), 992 (2016) (https://doi.org/10.15407/ujpe61.11.0992).


Повний текст: PDF (English) PDF
7 :: 21

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.