Застосування модуляційної спектроскопії для визначення ширини забороненої зони твердого розчину Cd1-xMnxTe

V.P. Makhniy, P.P. Horley, M.M. Berezovskiy

Анотація


Для визначення ширини забороненої зони монокристалічних твердих розчинів Cd1-xMnxTe, властивості яких змінюються з молярним складом x та якістю підготовки поверхні, використано модуляційну спектроскопію. Виявлено, що для таких зразків доцільно вимірювати диференційний спектр пропускання, основний пік якого регулюється складом x та товщиною підкладки d. Відповідно, потрібно виміряти Eg(d) принаймні для трьох зразків однакового складу та різної товщини. Використовуючи такі дані, екстраполяцією залежності Eg(d) в логарифмічній шкалі у точці перетину з віссю енергії lg d = 0 отримано значення ширини забороненої зони, що відповідає товщині зразка 1 мкм.


Ключові слова


напівпровідник, ширина забороненої зони, модуляційна спектроскопія

Посилання


Yu. V. Vorobiev, V. I. Dobrovol'skiy, V. I. Strikha, Methods for Studying Semiconductors (Vyshcha Shkola, Kyiv, 1988).

V. I. Gavrylenko, A. M. Grekhov, D. V. Korbutyak, and V. G. Litovchenko, Optical Properties of Semiconductors: a Handbook (Naukova Dumka, Kyiv, 1987).

M. Cardona, Modulation Spectroscopy (Academic Press, London, 1969).

V. P. Makhniy, Principles and Methods of Modulation Spectroscopy (Ruta, Chernivtsi, 2001).

I. K. Furdyna, Journal of Applied Physics 64(4), 22 (1989)

V. F. Agekyan, N. G. Filosofov, Diluted Magnetic Semiconductors (St. Petersburg, 2014).

I. G. Aksyanov, M. E. Kompan, and M. V. Mesh, Physics of the Solid State 49(4), 691 (2007).

B. P. Zakharchenya, F. Mayer (Eds.), Optical Orientation (Nauka, Leningrad, 1989).

L. A. Kosyachenko, I. V. Rarenko, T. Aoki, V. M. Sklyarchuk, O. L. Maslyanchuk, N. S. Yurtsenyuk, and Z. I. Zaharuk, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 14, 421 (2011).

P. V. Zhukovskii, Ya. Partyka, P. Vengerek, Yu. V. Sidorenko, Yu. A. Shostak, and A. Rodzik, Semiconductors 35(8), 937 (2001).

S. Kuznetsov. Physical Processes in Crystals and Thin Layers of Cd1-xMnxTe and Heterojunctions Based on Them (Doctoral Dissertation in Physics, Kishinev, 2015).

V. P. Makhniy, V. M. Sklyarchuk. Method of Defining Band Gap of Semiconductor Materials. Ukrainian patent UA 108138 granted on 11.07.2016.


Повний текст: PDF (En.) (English)
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.