Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах

Oksana Zamurueva, G. L. Myronchuk, S. P. Danylchuk, O. V. Zamurueva, L. V. Piskach, I. V. Kityk, M. V. Piasecki, O. V. Tsisar

Анотація


Основні результати досліджень полягають у тому, що особливістю низькотемпературної фотопровідності монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 є домішкова та індукавана фотопровідність, а також довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Оцінене значення часу релаксації фотопровідності становило ~102-103 с. Термічна енергія активації електронів з t-рівнів у монокристалах Tl0,75In0,75Sn0,25Se2 становила 0,13 еВ та 0,28 еВ. Зменшення вмісту Sn в Tl1-xIn1-xSnxSe2 призводить до зменшення глибини залягання цих рівнів. У монокристалах Tl0,9In0,9Sn0,1Se2 існує три дефектні центри, які виконують роль t-рівнів прилипання у різних температурних інтервалах.

Ключові слова


монокристали, дефекти, фотопровідність, термостимульована провідність

Посилання


S. N. Mustafaeva, M. M. Asadov, A. I. Dzhabbarov, Phys. Solid State 56(6), 1096 (2014).

R. S. Madatov, A. I. Najafov, Yu. M. Mustafayev, M. R. Gazanfarov, I. M. Movsumova, Semiconductors 49(9), 1166 (2015).

R. S. Madatov, A. I. Nadzhafov, T. B. Tagiev, M. R. Gazanfarov, Surface Engineering and Applied Electrochemistry 46(5), 497 (2010).

N. K. Tovstyuk, Sens. elektron. mikrosist. tehnol. 11(2), 53 (2014).

Y. M. Stakhira, Sens. elektron. mikrosist. tehnol. 14(4), 27 (2017).

Y. Stakhira, R. Stakhira, Sens. elektron. mikrosist. tehnol. 13(4), 44 (2016).

A. Z. Abasova, R. S. Madatov, A. I. Nadzhafov, M. R. Hazanfarov, Prikladnaya fizika, (5), 112 (2011).

K. Mimura, K. Wakita, M. Arita, N. Mamedov, G. Orudzhev, Y. Taguchi, K. Ichikawa, H. Namatame, M. Taniguchi, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 156-158, 379 (2007).

M.-H. Yu. Seyidov, A. P. Odrinskii, R. A. Suleymanov, E. Acar, T. G. Mammadov, V. B. Alieva, Phys. Solid State 56(10), 2028 (2014).

G. E. Davydyuk, O. Yu. Khyzhun, A. H. Reshak, H. Kamarudin, G. L. Myronchuk, S. P. Danylchuk, A. O. Fedorchuk, L. V. Piskach, M. Yu. Mozolyuk, O. V. Parasyuk, Phys. Chem. Chem. Phys. 15(18), 6965 (2013).

S. P. Danylchuk, G. L. Myronchuk, M. Yu. Mozolyuk, V. V. Bozhko, Semiconductors 50(1), 38 (2016).

G. E. Davydyuk, M. Piasecki, O. V. Parasyuk, G. L. Myronchuk, A. O. Fedorchuk, S. P. Danylchuk, L. V. Piskach, M. Yu. Mozolyuk, N. AlZayed, I. V. Kityk, Opt. Mater. 35(12), 2514 (2013).

V. A. Ivanov, V. F. Gremenok, E. P. Zaretskaya, O. N. Sergeeva, I. A. Viktorov, V. B. Zalesskiy, Opticheskie svoystva tonkih plenok Zn2-2xCuxInxSe2, prednaznachennyih dlya primeneniya v solnechnyih elementah. Sborn. tr. mezhdun. nauchn. konf. «Aktualnyie problemyi fiziki tverdogo tela», 26-28 oktyabrya 2005 g. (Minsk, 2005). S. 426.

L. L. Kazmerski, C. C. Shien, Thin Sol. Films 41(1), 35 (1997).

O. V. Novosad, V. V. Bozhko, I. V. Kityk, V. Vertelis, A. Nekrosius, V. Kazukauskas, Sens. elektron. mikrosist. tehnol. 12(1), 53 (2015).

V. V. Serdyuk, G. G. Chemeresyuk, M. Terek, Fotoelektricheskie protsessyi v poluprovodnikah (Vyisshaya shkola, Kiev-Odessa, 1982).

Richard H. Bube. Photoelectronic Properties of Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge, 1992).

Peter T. Landsberg, Recombination in Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge, 1991).

N. D. Ismailov, Ch. I. Abilov, M. S. Gasanova, Semiconductors 51(5), 632 (2017).

V. V. Bozhko, A. V. Novosad, G. E. Davidyuk, V. R. Kozer, O. V. Parasyuk, N. Vainorius, V. Janonis, A. Sakavičius, V. Kažukauskas, J. Alloys Comp. 553, 48 (2013).

V. V. Bozhko, A. V. Novosad, G. E. Davidyuk, O. V. Parasyuk, V. R. Kozer, O. R. Gerasymyk, N. Vainorius, V. Janonis, A. Sakavicius, V. Kazukauskas, Semiconductors 48(3), 286 (2014).


Повний текст: PDF (En.) (English)
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.