Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС

S. P. Novosyadlyy, A. M. Bosats'kyy

Анотація


Зменшення розмірів кремнієвих приладів супровуджується збільшенням ефективної швидкості електронів, зменшенням їх пролітного часу і переходом до балістичного режиму роботи. Одночасно, як наслідок, із зменшенням розмірів знижується і споживана потужність. Формування структур ВІС на Si- гомопереході зменшує їх частотний діапазон та швидкодію. Сучасними світовими розробниками було запропоновано декілька нових типів приладів і технологій формування їх структур, які використовують переваги високих значень швидкості і рухливості електронів в GaAs, а також використання малих розмірів структур. До них відносяться, наприклад, польові транзистори на гетероструктурах із сегментованим легуванням (СЛПТ), біполярні транзистори (БГТ) із широкозонним емітером, транзистором з проникливою базою , вертикальні балістичні транзистори, прилади з плоско-легованими бар'єрами і транзистори на гарячих електронах, як елементної бази сучасних сучасних швидкодіючих ВІС. В даній статті ми зупинимось варізонної технології формування структур як біполяних, так і польових транзисторів, які стануть основою сучасних швидкодіючих ВІС .

Посилання


H. Kroemer,Proc RE. 45, 1535(1983).

H. Kroemer,Proc ( EEE, 70, 13 (1982).

H. Kroemer, J.VacSciTechnolog. B 1(2), 126 (1983).

D.Aakri, A.Ceavennec, C.Besombes, C.Courbet, Heliot, Appl. Phys-Lett. 816 (1982).

Jn. S.L., Fiselur R., Lyves W.G. J. Appl. Phys.

R.F.Karariusov, S.Luryi,Appl. Phys-Lett.38,810(1981).

C.O.Bosler,G.D. Alleg,Proc ( EEE, 70(1), 16(1982).

P.P.Gukberg, M.S.Shur, R.J. Fisher, H. MorRoc, EEE Trans. ElectronDevieres. ED-31(12), 1758 (1984).

M. Shur. Sovremennie pribori na arsenidegallija (Mir, Moskva, 1991).

S.P. Novosjadlij, Sub - і nanomіkronna tehnologіja formuvannja struktur VGP (Mіsto NV,Іvano-Frankіvs'k, 2011).


Повний текст: PDF
7 :: 16

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.